原標題：Diodes推出首款碳化硅SBD

　　Diodes 的新型 SiC 肖特基勢壘二極管包括 DSCxxA065 系列，包括 11 款額定電壓為 650V (4A、6A、8A 和 10A) 的產品，以及 DSCxx120 系列，包括 8 款額定電壓為 1.2kV (2A、5A 和 10A) 的產品。

　　Diodes Inc. 發布了首款碳化硅 (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD)。產品組合包括 DIODES DSCxxA065 系列，包括 11 款額定電壓為 650V (4A、6A、8A 和 10A) 的產品，以及 DIODES DSCxx120 系列，包括 8 款額定電壓為 1.2kV 的產品(2A、5A 和 10A)。

　　這些寬帶隙 SBD 具有顯著提高效率和高溫可靠性的優勢，同時還滿足了市場對降低系統運行成本和低維護的需求。這些器件適用于 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 開關轉換器、光伏逆變器、不間斷電源和工業電機驅動應用。這些器件還可用于各種其他電路，例如用于功率因數校正的升壓轉換器。

　　這些 SiC 器件的高效性能優于傳統的硅基產品，并為電源設計人員提供了無與倫比的產品性能優勢，例如：

　　? 由于容性電荷低(QC)，在快速開關應用中提供高效率。這適用于具有更高功率密度和更小整體解決方案尺寸的電路設計。

　　? 低正向電壓(VF)，進一步提高效率，減少功率損耗和運營成本。

　　? 減少散熱，有助于降低整體系統冷卻預算。

　　? 高浪涌電流能力，可提高魯棒性，提高系統可靠性，同時出色的熱性能可降低構建成本。

　　三種封裝選項包括表面貼裝 TO252-2(WX 型)、通孔 TO220AC(WX 型)和 ITO220AC(WX-NC 型)。