Winbond W9825G6KH-6 DDR存儲器中文資料

一、概述

Winbond W9825G6KH-6是一款由華邦電子（Winbond）生產的高速同步動態隨機存取存儲器（SDRAM），專為高性能計算應用設計。該存儲器以其高速度、大容量和低功耗特性，在消費電子、工業控制、服務器及網絡通信等領域得到了廣泛應用。本文將從型號類型、工作原理、特點、應用以及詳細參數等方面，對W9825G6KH-6進行詳細介紹。

廠商名稱：Winbond

元件分類：DDR存儲器

中文描述： Winbond 256Mbit 166MHz SDRAM，32M x 8 bit，54引腳TSOP封裝

英文描述： DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

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W9825G6KH-6概述

W9825G6KH是256M SDRAM，速度為-5/-5I/-6/-6I/-6J/-6L/-6A/-6K/-75/75J/75L。

3.3V±0.3V電源，

最高200 MHz時鐘頻率

4，194，304字x 4組x 16位組織

自我刷新模式：標準和低功耗

CAS延遲：2和3

突發長度：1、2、4、8和整頁

突發

LDQM，UDQM

掉電模式

自動預充電和受控預充電控制的讀，單寫模式字節數據

8K刷新周期/64 mS， -40°C≦TA/TCASE≦85°C

8K刷新周期/16 mS， 85°C<TA/TCASE≦105°C

接口：LVTTL

不支持TA/TCASE>85°C的自刷新功能

W9825G6KH-6中文參數

二、型號與類型

型號：W9825G6KH-6

類型：DDR（動態隨機存取存儲器）中的SDRAM（同步動態隨機存取存儲器）

W9825G6KH-6屬于Winbond的DDR SDRAM系列，是專為滿足高速數據處理需求而設計的。DDR SDRAM相比傳統的SDR（單倍數據速率）SDRAM，具有更高的數據傳輸速率和更低的功耗，是現代計算機系統中不可或缺的重要組件。

三、工作原理

W9825G6KH-6的工作原理基于DRAM（動態隨機存取存儲器）的基本架構，但采用了同步接口，即其數據傳輸速率與系統的時鐘頻率同步。這種同步設計使得數據可以在每個時鐘周期的上升沿或下降沿進行傳輸，從而實現了雙倍數據速率（DDR）。

基本操作流程：

1. 行激活（Row Activation）：通過發送ACTIVE命令，選擇一個存儲體內的特定行進行激活。激活后，該行內的數據被加載到行緩沖區中，準備進行讀寫操作。

2. 列訪問（Column Access）：在行激活后，通過發送READ或WRITE命令以及列地址，訪問該行內的特定數據。對于DDR SDRAM，數據訪問是面向突發的，即可以連續讀取或寫入多個數據字。

3. 預充電（Precharge）：在訪問完一個行后，需要發送PRECHARGE命令來關閉該行，以便其他行可以被激活。預充電操作是DRAM中必要的步驟，用于恢復存儲單元的狀態。

4. 刷新（Refresh）：由于DRAM的存儲單元是電容性的，其存儲的數據會隨時間逐漸消失。因此，需要定期進行刷新操作，以補充電容中的電荷，保持數據的完整性。W9825G6KH-6支持標準和低功耗兩種自刷新模式。

四、特點

1. 高速性能：W9825G6KH-6提供高達200MHz的時鐘頻率，數據帶寬可達每秒200M字，能夠滿足高性能應用的需求。

2. 大容量：存儲容量為256Mb（即32MB，16M x 16），適合需要大量數據緩存的應用場景。

3. 低功耗：支持低功耗自刷新模式，有助于延長設備的電池壽命。

4. 靈活的突發訪問：支持多種突發長度（1、2、4、8和整頁），可以根據應用需求進行優化，提高數據傳輸效率。

5. 先進的封裝技術：采用TSOP II 54引腳封裝，尺寸小巧，便于在緊湊的電子設備中集成。同時，封裝材料符合RoHS標準，為環保貢獻一份力量。

6. 寬溫度范圍：支持在-40°C至+85°C的溫度范圍內正常工作，滿足各種環境下的應用需求。

五、應用

W9825G6KH-6因其高性能、大容量和低功耗等特點，在多個領域得到了廣泛應用：

1. 消費電子：如智能手機、平板電腦、智能電視等，用于存儲和處理多媒體數據。

2. 工業控制：在工業自動化系統中，作為主存儲器或緩存，用于存儲和處理實時數據。

3. 服務器及網絡通信：在數據中心和網絡通信設備中，用于提高數據處理速度和吞吐量。

4. 嵌入式系統：在車載電子、醫療設備、航空航天等嵌入式應用中，作為關鍵的數據存儲和處理組件。

六、詳細參數

基本參數：

• 存儲容量：256Mb（32MB, 16M x 16）

• 接口類型：Parallel

• 工作電壓：3.3V ± 0.3V（最高可達3.6V）

• 封裝類型：TSOP II 54引腳

• 尺寸：22.35 x 10.29 x 1.05mm

• 引腳數目：54

• 溫度范圍：-40°C至+85°C（部分規格支持更高溫度）

性能參數：

• 時鐘頻率：支持高達200MHz的操作頻率，根據具體應用和系統配置，實際頻率可能有所調整。

• 數據傳輸速率：在200MHz頻率下，數據傳輸速率可達每秒400MT/s（每秒兆次傳輸），即每秒可傳輸400百萬次數據。由于DDR技術的特性，實際數據傳輸量是時鐘頻率的兩倍。

• 突發長度：支持可編程的突發長度，包括1、2、4、8和Full Page（全頁）突發模式。突發長度的選擇可以根據應用需求進行優化，以提高數據傳輸效率。

• CAS延遲（CL）：CAS（Column Address Strobe，列地址選通）延遲是訪問DRAM中一列數據所需的時間。W9825G6KH-6的CAS延遲通常為幾個時鐘周期，具體值取決于系統設計和制造商的規格說明。

• RAS到CAS延遲（tRCD）：從行激活命令（RAS）到列訪問命令（CAS）之間的最小延遲時間。這個參數也影響了DRAM的訪問速度。

• RAS預充電時間（tRP）：從行激活到該行可以被預充電并重新激活所需的時間。較短的tRP有助于提高DRAM的帶寬和效率。

• 刷新周期：DRAM需要定期刷新以保持存儲的數據不丟失。W9825G6KH-6支持自動刷新功能，并規定了刷新周期的時間間隔，通常為幾百微秒到幾毫秒不等。

• 功耗：在正常工作模式下，W9825G6KH-6的功耗相對較低，并且支持低功耗自刷新模式，進一步降低了功耗。具體功耗值取決于操作頻率、負載條件和環境溫度等因素。

兼容性：

• 兼容標準：W9825G6KH-6符合JEDEC（電子工程聯合委員會）制定的DDR SDRAM標準，確保與大多數現代計算機系統和電子設備的兼容性。

• 軟件支持：由于其標準的DDR接口，W9825G6KH-6可以很容易地被現有的操作系統和驅動程序支持，無需特殊的硬件或軟件適配。

可靠性和耐用性：

• 數據保持時間：在斷電后，DRAM中的數據會迅速丟失，但W9825G6KH-6的電容設計保證了在正常工作條件下數據可以在一定時間內保持穩定。

• 耐久性：盡管DRAM的讀寫操作是無限次的（理論上），但頻繁的刷新和電路老化可能會對器件的壽命產生影響。因此，合理的系統設計和定期的維護對于確保DRAM的長期可靠性至關重要。

總結：

Winbond W9825G6KH-6 DDR存儲器以其高速性能、大容量、低功耗和廣泛的兼容性，在多個領域展現了強大的應用潛力。從消費電子到工業控制，從服務器到嵌入式系統，這款存儲器都是提升系統性能和數據處理能力的理想選擇。通過深入了解其工作原理、特點和詳細參數，我們可以更好地將其應用于實際項目中，為各類電子設備帶來更加出色的性能和用戶體驗。