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三星半導體MZVL2512HCJQ-00$00/07固態硬盤介紹
三星半導體MZVL2512HCJQ-00$00/07固態硬盤介紹
三星半導體MZVL2512HCJQ-00$00/07固態硬盤（SSD）是一款針對高性能存儲需求的固態硬盤產品，廣泛應用于各類計算平臺和數據存儲環境。作為三星半導體系列中的一員，它結合了三星獨特的存儲技術、可靠的硬件設計以及優越的數據處理能力。本文將對該型號固態硬盤進行詳細的介紹，涵蓋其技術規格、工作原理、特點、優勢以及在不同應用場景中的表......
三星半導... MZVL... 固態硬盤
2024-12-10
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Samsung三星CL05A105KQ5NNNC貼片電容中文資料
Samsung三星CL05A105KQ5NNNC貼片電容中文資料
三星 CL05A105KQ5NNNC 是一種片式多層陶瓷電容器（MLCC），廣泛應用于電子電路中。本文將詳細介紹這種電容器的型號類型、工作原理、特點、應用和參數等方面的內容。廠商名稱：Samsung三星元件分類：電容中文描述： 三星貼片電容，MLCC，精度：±10%容值：1uF額定電壓：6.3V溫漂系數(介質材料)：X5R材質英文描述： ......
Sams... CL05... 貼片電容
2024-06-25
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三星在西安建廠：建廠背景、生產規模、技術創新和經濟效益
三星在西安建廠：建廠背景、生產規模、技術創新和經濟效益
摘要三星在西安建廠是一個重大的舉措，對于中國半導體產業的發展具有重要意義。本文將從四個方面對三星在西安建廠進行詳細闡述，包括建廠背景、生產規模、技術創新和經濟效益。一、建廠背景三星作為全球知名的電子產品制造商，在中國市場具有廣泛影響力。西安作為中國中部地區的重要城市，擁有良好的投資環境和優質人才資源。因此，選擇在西安建立生產基地是符合三星......
三星
2023-10-31
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三星賠款事件：賠款背景、賠款金額、影響與教訓、未來展望
三星賠款事件：賠款背景、賠款金額、影響與教訓、未來展望
摘要三星賠款事件是指三星電子公司因為其手機電池爆炸問題而被迫進行大規模召回，并向受影響的消費者支付巨額賠償金。這一事件對于三星來說無疑是一個巨大的打擊，但同時也給了該公司一個機會來重新審視其產品質量和服務體驗。本文將從四個方面對三星賠款進行詳細闡述。一、賠款背景在2016年，三星電子公司發布了Galaxy Note 7智能手機。然而不久之......
三星
2023-10-31
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三星943nw通病：屏幕閃爍問題、色彩失真問題、無法開機問題、顯示畫面模糊問題
三星943nw通病：屏幕閃爍問題、色彩失真問題、無法開機問題、顯示畫面模糊問題
摘要三星943nw是一款常見的液晶顯示器，然而在使用過程中存在著一些通病。本文將從四個方面對三星943nw的通病進行詳細闡述，幫助讀者更好地了解和解決這些問題。一、屏幕閃爍問題屏幕閃爍是三星943nw常見的通病之一。造成屏幕閃爍的原因有很多，可能是電源供應不穩定、驅動程序問題或者顯示器內部故障等。針對這個問題，我們可以嘗試重新插拔電源線、......
三星94...
2023-10-31
23
三星P2設計特點、性能指標、應用領域和市場前景
三星P2設計特點、性能指標、應用領域和市場前景
摘要三星P2是一款頗具創新性的元器件，其在多個方面都有出色的表現。本文將從四個方面對三星P2進行詳細闡述，包括設計特點、性能指標、應用領域和市場前景。一、設計特點三星P2的設計特點主要體現在以下幾個方面：首先，它采用了先進的制造工藝和材料，使得其具備更高的集成度和更小的尺寸。這使得它可以在各種緊湊空間中靈活應用。其次，三星P2還采用了獨特......
三星P2
2023-10-31
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三星機電CL高電容汽車mlcc的介紹、特性、及應用
三星機電CL高電容汽車mlcc的介紹、特性、及應用
　　三星機電CL高電容汽車mlcc是AEC-Q200合格，并提供小尺寸的高電容。這些0805小型組件具有X7R溫度特性，溫度范圍為-55°C至125°C，額定電壓范圍為4V(DC)至35V(DC)。汽車CL高電容mlcc允許在ADAS soc附近密集放置組件，沒有問題。設計師/用戶可以在小空間內實現所需的組合，電容范圍從1 μ F到4.......
三星機電 汽車ml...
2023-04-18
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三星機電CL微型超高電容MLCCs的介紹、特性、及應用
三星機電CL微型超高電容MLCCs的介紹、特性、及應用
　　三星電磁CL微型超高電容mlcc提供22μF至100μFF電容范圍(±20%公差)，額定電壓6.3V(DC)。aec - q200合格的MLCCs具有X5R溫度特性，意味著在-55°C到+85°C的溫度范圍內具有高容量效率。三星電磁CL微型高電容mlcc有0402和0805外殼尺寸可供選擇。　　特性　　X5R溫度特性，-55°C至+......
MLCC 超高電容 三星電磁
2023-02-15
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三星通過積極的資本支出應對芯片低迷
三星通過積極的資本支出應對芯片低迷
　　三星芯片業務能否近期反彈?　　三星電子公司 做出了一個出人意料的激進決定，將資本支出保持在與去年相同的水平，無視與競爭對手一起撤回以減輕已經遭受重創的半導體行業壓力的預期。　　芯片制造商一直在努力應對內存價格的歷史性暴跌，在大流行驅動的產量開始增加幾個月后，消費者減少了對小工具的購買。庫存堆積如山，迫使兩位數的價格下滑，抹去利潤，迫使......
三星 三星電子
2023-01-31
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三星保持芯片投資，不被8年低利潤嚇倒
三星保持芯片投資，不被8年低利潤嚇倒
　　　　2021 年 11 月 22 日，在美國紐約市曼哈頓的一家商店看到三星標牌。路透社/安德魯·凱利/檔案照片　　首爾，1月31日(路透社) - 韓國三星電子有限公司 (005930. 周二表示，今年沒有削減芯片投資的計劃，盡管全球經濟疲軟使該行業陷入十多年來最嚴重的衰退。　　該指引與縮減支出和產量的更廣泛行業趨勢背道而馳，引發了人......
三星
2023-01-31
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三星推出業界首款速度高達7.2 Gbps的12納米級DDR5 DRAM
三星推出業界首款速度高達7.2 Gbps的12納米級DDR5 DRAM
三星推出的業界首款速度高達7.2 Gbps的12納米級DDR5 DRAM具有多項引人注目的特點，以下是對其的詳細介紹：技術規格：速度：這款DDR5 DRAM的最高速度達到了7.2 Gbps，意味著它可以在一秒鐘內處理大約兩部30GB的超高清電影。工藝：采用業界最先進的12納米級工藝技術，相較于上一代產品，晶圓生產力提升了約20%。能效：與......
三星 12納米 DDR5...
2022-12-22
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泄密者指出，三星Galaxy S23，Galaxy S23 Plus和Galaxy S23 Ultra的發布時間早于預期。
泄密者指出，三星Galaxy S23，Galaxy S23 Plus和Galax...
關于三星Galaxy S23，Galaxy S23 Plus和Galaxy S23 Ultra的發布時間早于預期的情況，可以參考以下詳細分析：原計劃發布時間：根據三星的常規發布策略，Galaxy S系列新機通常會在每年的年初發布。然而，在Galaxy S23系列的發布前，有多篇報道和傳聞指出其可能會提前發布。提前發布的傳聞：早在2022年......
三星 Gala... Gala...
2022-12-22
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YMTC領先三星，美光在3D NAND方面受到挑戰
YMTC領先三星，美光在3D NAND方面受到挑戰
YMTC（長江存儲）在3D NAND技術方面確實已經取得了顯著的進展，并在某些方面對三星和美光等傳統行業領導者構成了挑戰。以下是對這一觀點的具體分析和依據：技術突破：YMTC最近推出了一款232層QLC 3D NAND存儲芯片，具有198Gb/mm2的比特密度，這是目前業界推出的商用NAND產品中最高的。這一技術突破展現了YMTC在3D ......
長江存儲 3D N... 3D N...
2022-12-19
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三星與NAVER合作開發超大規模AI芯片解決方案
三星與NAVER合作開發超大規模AI芯片解決方案
三星與NAVER合作開發超大規模AI芯片解決方案隨著人工智能技術的迅速發展，AI芯片作為人工智能計算的核心驅動力，正在成為各行各業的創新關鍵。近期，三星與NAVER合作開發超大規模AI芯片解決方案的消息引起了廣泛關注。本文將對這一合作項目進行介紹，并探討相關品牌和型號。1.三星與NAVER合作背景三星電子作為全球領先的半導體制造商，擁有豐......
三星 NAVE... AI芯片
2022-12-08
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印度尼西亞 2022 年第三季度智能手機出貨量同比下降 21%
印度尼西亞 2022 年第三季度智能手機出貨量同比下降 21%
印度尼西亞2022年第三季度智能手機出貨量的確出現了同比下降21%的情況。這一數據來源于Counterpoint發布的月度印度尼西亞渠道份額追蹤報告。該報告指出，由于宏觀經濟狀況沒有任何改善跡象，以及上一年第三季度新冠后首次解除城市封鎖為市場注入了活力，導致本季度的出貨量同比下降。具體來說，進入2022年第四季度，該機構預計宏觀經濟復蘇會......
智能手機 OPPO 三星
2022-11-18
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三星公布 1.4nm 工藝節點計劃
三星公布 1.4nm 工藝節點計劃
三星已經公布了其1.4nm工藝節點的計劃。根據最近的搜索結果，三星在2024年6月14日舉行的相關活動中，正式官宣了他們的半導體技術發展計劃[1][2][3][4]。具體來說，三星計劃于2025年開始量產2nm芯片，并預計在2027年推出1.4nm工藝。這次的計劃覆蓋了多個技術節點，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等版本......
三星電子 1.4n... 1.4納...
2022-10-11
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三星電機 CL 微型超高電容MLCC
三星電機 CL 微型超高電容MLCC
三星電機CL微型超高電容MLCC（Multilayer Ceramic Capacitors）是該公司生產的一種高性能、微型化的多層陶瓷電容器。以下是關于三星電機CL微型超高電容MLCC的詳細信息和特點：產品概述：MLCC是一種起到儲電后定量輸送電“水壩”作用的被動元件，能夠調節電路中電流的定量傳輸，有效防止元器件間出現電磁波干擾現象。三......
三星電機 微型超高... MLCC
2022-08-16
15
三星電子推出新款圖像傳感器ISOCELL
三星電子推出新款圖像傳感器ISOCELL
三星電子近期推出了新款圖像傳感器ISOCELL，這一系列傳感器以其卓越的性能和創新能力，進一步鞏固了三星在圖像傳感器市場的領先地位。以下是關于新款ISOCELL圖像傳感器的主要特點和詳細信息：ISOCELL HP9：像素規格：作為業界首款2億像素的長焦傳感器，ISOCELL HP9采用1/1.4英寸的光學規格，擁有2億個0.56微米大小的......
圖像傳感...
2022-05-18
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三星宣布首批支持HDR10+ Gaming的顯示器和電視陣容
三星宣布首批支持HDR10+ Gaming的顯示器和電視陣容
三星宣布的首批支持HDR10+ Gaming的顯示器和電視陣容是其在游戲顯示技術方面的一個重要里程碑。以下是對這一陣容的詳細解析：一、背景介紹HDR10+ Gaming是三星針對游戲領域推出的HDR10+標準的擴展版本，旨在提供更高的峰值亮度、自動低延遲與可變刷新率，以及更好的視頻源與顯示設備的適配性，從而帶來更佳的游戲性能與視覺效果。這......
HDR1... 動低延遲... nvid...
2021-12-27
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三星宣布高性能 PCIe 5.0 固態硬盤開發成功：順序讀取速度 13000MB / s，擁有 15.36TB 容量
三星宣布高性能 PCIe 5.0 固態硬盤開發成功：順序讀取速度 13000MB...
三星宣布高性能PCIe 5.0固態硬盤開發成功，該硬盤在性能上取得了顯著的提升，特別是在順序讀取速度和存儲容量方面。以下是對該硬盤的詳細分析：一、基本信息產品名稱：三星PM1743固態硬盤接口類型：PCIe 5.0閃存技術：三星第6代V-NAND二、性能特點順序讀取速度：速度值：13000MB/s（或13GB/s，兩者單位不同但數值相等）......
PM17... 企業服務... 千兆傳輸
2021-12-24
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