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碳化硅晶圓
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碳化硅晶圓， 也稱碳化硅單晶片，是沿特定的結晶方向將碳化硅晶體切割、研磨、拋光得到片狀單晶材料。 半導體材料歷經 3 個發展階段，第一代是硅 (Si)、鍺 (Ge) 等基礎功能材料；第二代開始進入由 2 種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等為代表；第三代則是氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC) 等寬頻化合物半導體材料。

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