您現在的位置： 首頁 > 標簽 > 臺積電
臺積電
臺積電
相關文章 : 134篇 瀏覽 : 2398次

臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET的介紹、特性、及應用
臺積電TSM600NA25CIT n溝道功率MOSFET是采用Trench技術構建的250V低壓單配置MOSFET。該MOSFET具有22A連續漏極電流，60毫歐漏極源電阻，78W功耗和71nC柵極電荷。TSM600NA25CIT MOSFET提供22pF反向傳輸電容，無鉛，無鹵素，符合RoHS標準。該功率MOSFET是不間斷電源(UPS......
臺積電 TSM6... n溝道功...
2024-03-25
13
臺積電MMSZ4X齊納二極管的介紹、特性、及應用
臺積電MMSZ4X齊納二極管的介紹、特性、及應用
臺積電MMSZ4X齊納二極管具有恒壓控制功能，并由陰極帶極性指示。這些二極管提供啞光鍍錫引線，可根據J-STD-002端子和SOD-123外殼進行焊接。MMSZ4X齊納二極管提供UL 94V-0可燃性等級成型化合物，符合rohs標準和無鹵素。這些二極管每J-STD-020濕度敏感等級1級，重10.97毫克(約)。MMSZ4X齊納二極管的工......
臺積電 MMSZ... 齊納二極...
2024-01-22
9
臺積電PUUP8xH表面貼裝整流器的介紹、特性、及應用
臺積電PUUP8xH表面貼裝整流器的介紹、特性、及應用
　　臺積電PUUP8xH表面貼裝整流器具有低功耗、高效率的特點。這些整流器工作在8A正向電流和100V到200V重復電壓。PUUP8xH整流器采用平面技術設計，非常適合自動放置。這些表面安裝整流器符合RoHS標準，并符合AEC-Q101標準。其他應用包括高頻開關，DC/DC和緩沖器。　　特性　　AEC-Q101合格　　平面技術　　功耗低，......
臺積電 PUUP... 表面貼裝...
2023-03-16
81
臺積電PU6BCH & PU6DCH表面貼裝電阻器的介紹、特性、及應用
臺積電PU6BCH & PU6DCH表面貼裝電阻器的介紹、特性、及應用
　　臺積電PU6BCH和PU6DCH表面貼裝整流器為6A級超高速整流器，具有低功耗和高效率的特點。這些整流器采用平面技術設計，符合RoHS標準。表面安裝整流器是AEC合格的，是自動放置的理想選擇。其他應用包括高頻開關，DC/DC和緩沖器。　　特性　　AEC-Q101合格　　平面技術　　功耗低，效率高　　非常適合自動放置　　濕度敏感等級:1......
PU6B... PU6D... 表面貼裝...
2023-03-16
9
臺積電3納米進展報告：好于預期
臺積電3納米進展報告：好于預期
　　臺積電發誓要在 2022 年下半年啟動其 3 納米工藝節點，但于 12 月 29 日在其位于臺灣南部科學園區 (STSP) 的擴建制造工廠為這個尖端制造節點剪彩，勉強實現了這一目標。在三星開始生產基于全能柵極 (GAA) 技術的 3 納米芯片近六個月后，臺積電基于久經考驗的 FinFET 晶體管架構，成功實現了從 5 納米到 3 ......
臺積電 3納米
2023-03-09
21
臺積電TQL82x 200mA低損耗線性穩壓器的介紹、特性、及應用
臺積電TQL82x 200mA低損耗線性穩壓器的介紹、特性、及應用
　　臺積電TQL82x 200mA低損耗線性穩壓器是一種高性能的低損耗線性穩壓器，適用于3.3V或5V，輸入范圍為3V至50V，低靜止30μA。TQL82x提供2%的輸出電壓精度和200mA最大驅動電流，適用于汽車或其他供電系統。每個TQL82x需要一個1μF的小陶瓷電容，以表現出快速調節和良好的穩定性。它還顯示非常低的退出電壓在100......
臺積電 TQL8... 線性穩壓...
2023-02-23
31
臺積電TQL85x 500mA低損耗線性穩壓器的介紹、特性、及應用
臺積電TQL85x 500mA低損耗線性穩壓器的介紹、特性、及應用
　　臺積電TQL85x 500mA低損耗線性穩壓器是一種高性能的低損耗線性穩壓器，適用于3.3V或5V，輸入范圍為3V至50V，低靜止40μA (TQL850)或30μA (TQL851)。TQL82x提供2%的輸出電壓精度和500mA最大驅動電流，適用于汽車或其他供電系統。TQL82x需要1μF的小陶瓷電容才能表現出快速的調節和良好......
臺積電 TQL8... 線性穩壓...
2023-02-23
32
Cadence助力GUC在臺積電N3 Tech上提供3.16GHz HPC核心設計
Cadence助力GUC在臺積電N3 Tech上提供3.16GHz HPC核心設...
　　　　使用Innovus實施，GUC在臺積電N3工藝技術上提供了3.16GHz HPC核心設計，并具有3.5M實例。　　Global Unichip Corp.(GUC)使用Cadence Design Systems Inc.的數字解決方案成功交付了先進的HPC設計和CPU設計。HPC設計是在臺積電先進的N3工藝上使用Cadence......
Cade... 臺積電 GUC
2023-01-31
5
SEMI臺灣通過新的評級服務加強整個芯片生態系統的網絡安全
SEMI臺灣通過新的評級服務加強整個芯片生態系統的網絡安全
SEMI臺灣通過新的評級服務加強整個芯片生態系統的網絡安全，這一舉措對于提升半導體產業的網絡安全防護能力具有重要意義。以下是該評級服務的詳細分析：評級服務背景：隨著半導體產業在全球范圍內的重要性日益凸顯，網絡安全問題也愈發受到關注。為了加強半導體生態系統對網絡攻擊的防御能力，SEMI臺灣推出了半導體網絡安全風險評級服務。評級服務特點：五大......
SEMI 臺積電
2022-12-16
47
全球十大代工廠總收入在2022年第三季度增長 6%
全球十大代工廠總收入在2022年第三季度增長 6%
全球十大代工廠在2022年第三季度總收入增長6%根據參考文章提供的信息，我們可以了解到，在2022年第三季度，全球排名前十的晶圓代工廠的產值達到了352.1億美元，環比增長幅度為6%。這一增長主要受到多個因素的影響，包括市場需求、客戶訂單、產能利用率以及個別廠商的特定貢獻。主要廠商表現：臺積電（TSMC）：以201.6億美元的營收領跑，環......
全球十大... 中芯國際 臺積電
2022-12-16
63
臺積電在亞利桑那州擴建以專注于 3nm 節點
臺積電在亞利桑那州擴建以專注于 3nm 節點
臺積電在亞利桑那州的擴建計劃確實專注于3nm節點及更先進的制程技術。以下是關于該擴建計劃的詳細信息和關鍵點：擴建規模與投資：臺積電宣布在亞利桑那州投資超過650億美元進行擴建，這將包括建設第三座先進制程晶圓廠。這項投資基于美國商務部與臺積電之間達成的初步備忘錄，其中臺積電可能獲得美方最高66億美元的補貼，以及高達50億美元的政府貸款。制程......
臺積電 3nm 3納米
2022-11-18
13
Cadence在臺積電N5推出22Gbps GDDR6 IP
Cadence在臺積電N5推出22Gbps GDDR6 IP
Cadence在臺積電（TSMC）N5工藝上推出的22Gbps GDDR6 IP是一項重要的技術突破，以下是關于此技術的一些關鍵信息和特點：性能提升：Cadence的GDDR6 IP在TSMC N5工藝上實現了22Gbps的數據速率，這一速度超越了該公司上一代的16Gbps設計，提高了37%的性能。高帶寬：GDDR6 IP的設計允許每個p......
Cade... 臺積電 GDDR...
2022-11-18
23
由于前景黯淡，臺積電將擴張計劃減少至 USD36B
由于前景黯淡，臺積電將擴張計劃減少至 USD36B
關于臺積電（TSMC）將擴張計劃減少至USD36B的情況，可以從以下幾個方面進行清晰的分析和歸納：資本支出下調的背景：臺積電原本預計的資本支出計劃因全球經濟狀況的持續壓力而進行了調整。據參考文章2所述，由于全球經濟狀況持續帶來壓力，臺積電已將今年的資本支出計劃削減至320億至360億美元，低于去年的363億美元。具體數字與變化：原本預估的......
臺積電 7納米 6納米
2022-10-18
25
深入了解臺積電的 3 納米節點和 FinFlex 技術
深入了解臺積電的 3 納米節點和 FinFlex 技術
臺積電的3納米節點和FinFlex技術是該公司在半導體制造領域的重要創新，以下是關于這兩項技術的詳細介紹：3納米節點技術背景：隨著半導體技術的不斷發展，晶體管尺寸的不斷縮小已成為提升芯片性能的關鍵。臺積電的3納米節點代表了當前半導體制造技術的最前沿。主要特點：相較于之前的5納米CMOS節點，臺積電的3納米節點在邏輯密度、速度和功率效率上均......
臺積電 3納米 FinF...
2022-08-24
39
隨著前景黯淡，c削減擴張計劃
隨著前景黯淡，c削減擴張計劃
關于臺積電削減擴張計劃的情況，盡管當前半導體市場面臨一些挑戰和前景的不確定性，但根據我所掌握的信息，臺積電在近期并未公開宣布削減其擴張計劃。相反，從參考文章中可以提煉出以下關于臺積電擴張計劃的信息：新建工廠與產能提升：臺積電在2024年計劃新建七座工廠，包括5座晶圓廠和2座先進封裝廠。該公司預計2024年的3nm產能將達到去年的四倍，即同......
臺積電 TSMC
2022-07-19
18
臺積電預計將于 2022 年末量產 3nm 芯片，早于第一批蘋果 M3 / A17 芯片
臺積電預計將于 2022 年末量產 3nm 芯片，早于第一批蘋果 M3 / A1...
臺積電預計將于2022年末量產3nm芯片，這一消息在多個來源中得到了確認。以下是對該問題的詳細解答：一、臺積電3nm芯片量產計劃1. 量產時間臺積電原計劃在2022年下半年大批量生產3nm芯片，并在2022年最后一周開始量產。這一時間點早于首批采用臺積電3nm工藝制造的蘋果M3和A17芯片的預期發布時間。2. 技術優勢臺積電3nm節點相較......
M3芯片 A15芯... Mac系...
2021-12-27
14
ASML下一代高精準度EUV光刻機售價將高達3億美元
ASML下一代高精準度EUV光刻機售價將高達3億美元
ASML（阿斯麥）下一代高精準度EUV（極紫外）光刻機的售價確實預計將達到一個相當高的水平，但具體售價可能會受到多種因素的影響，包括生產成本、市場需求、技術先進性以及市場競爭態勢等。根據公開發布的信息，ASML的下一代高精準度EUV光刻機，如EXE: 5000型號，其數值孔徑為0.55，可用于2nm節點以下芯片制造，如1.4nm、1nm等......
EUV光... 臺積電 制程節點
2021-12-24
23
臺積電羅鎮球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺和 2nm 新晶體管架構
臺積電羅鎮球：明年將推出 5nm 汽車電子平臺和 2nm 新晶體管架構
臺積電羅鎮球在相關場合表示，臺積電計劃在未來推出兩項重要技術：5nm汽車電子平臺和2nm新晶體管架構。以下是對這兩項技術的詳細解讀：一、5nm汽車電子平臺1. 推出時間根據羅鎮球的表述，臺積電計劃于“明年3月”推出5nm汽車電子工藝平臺。然而，這里的“明年”指的是消息發布時的下一年，即基于參考文章的發布時間（2021年），原計劃是在202......
晶體管 半導體 臺積電
2021-12-23
9
5nm 系列終極性能！臺積電發布 N4X 制程工藝技術：2023 年上半年風險生產
5nm 系列終極性能！臺積電發布 N4X 制程工藝技術：2023 年上半年風險生...
5nm 系列終極性能！臺積電發布 N4X 制程工藝技術：2023 年上半年風險生產臺積電發布的N4X制程工藝技術，作為5nm系列的終極性能代表，是專為高性能計算（HPC）產品的苛刻工作負載量身定制的。以下是關于N4X制程工藝技術的詳細介紹：一、技術背景與特點發布時間：臺積電在2021年12月16日正式宣布推出N4X制程工藝技術。技術定位：......
金屬電容... N4X制... 生態系統
2021-12-17
48
聯發科天璣 9000 5G 旗艦芯片發布：臺積電 4nm 制程、Armv9 架構，手機將于明年一季度上市
聯發科天璣 9000 5G 旗艦芯片發布：臺積電 4nm 制程、Armv9 架構...
聯發科天璣9000 5G旗艦芯片于2021年12月16日正式發布，這款芯片在多個方面均展現了其旗艦級別的性能與特點。以下是對天璣9000 5G旗艦芯片的詳細解析：一、制程與架構制程：天璣9000率先采用臺積電4nm先進制程，這一制程的采用使得芯片在功耗控制和性能表現上達到了新的高度。架構：CPU部分，天璣9000采用了面向未來十年的新一代......
圖像信號... 5G調制... Wi-F...
2021-12-17
17